8月31日消息，住友化学宣布在其位于日本茨城县日立市的茨城事业所建立了4英寸磷化铟（InP）外延片的量产体系，并已开始销售，正式切入支撑AI数据中心演进的关键半导体材料市场，公司同时表示将以此构建支撑光电融合技术普及的核心材料供应体制。

InP是化合物半导体中的关键衬底材料，用光替代电进行芯片内部信号交换的光电融合（Photonic-Electronic Convergence）技术被视为下一代半导体与数据中心技术——可在降低功耗的同时实现高速、大容量数据处理与通信。随着生成式AI普及、物联网与云服务扩张以及通信网络基础设施升级，各领域对更快、更大容量数据处理的需求持续增长，InP外延片的重要性随之上升。

不过InP外延片制造门槛极高：需要在高温外延生长过程中精确控制材料组成与表面状态，并在整个制造流程实施精细的工艺管理。住友化学称，公司整合了超过25年砷化镓（GaAs）外延片和氮化镓（GaN）外延片量产经验中积累的组成控制、薄膜叠层和晶体生长工艺控制等独有技术，攻克了这些难题。新产品具备均一晶体结构、量产再现性和均一膜厚等品质特征。

据公司介绍，日本国内能够稳定量产外延片的企业（epi house）为数不多，住友化学是其中之一。战略层面，住友化学已将ICT与出行解决方案业务定位为增长驱动因素之一，并将半导体相关业务列为重点领域。今后公司将在现有GaAs、GaN等化合物半导体材料阵容基础上新增InP外延片，完善面向光电融合时代的材料供应布局。 （来源：Sumitomo Chemical）