10月7日消息，成均馆大学（SKKU）纳米技术先进研究院（SAINT）Ji-Sang Park 教授团队联合 POSTECH Yong-Young Noh 教授团队及电子科技大学（UESTC）Ao Liu、Huihui Zhu 教授团队，攻克了环保无铅钙钛矿半导体易氧化的关键难题，开发出世界级性能的无铅p型晶体管，成果发表于 Nature。

晶体管分电子导电的n型与空穴导电的p型，两者平衡才能构建低功耗高性能的互补电路；而 p 型性能提升一直是瓶颈，无铅钙钛矿又长期受氧化问题困扰。该研究通过抑制氧化，使无铅钙钛矿 p 型晶体管性能达到世界一流水平，为钙钛矿基低成本柔性/印刷电子的互补金属氧化物半导体（CMOS-like）逻辑电路扫清关键障碍。

产业背景：钙钛矿半导体以低温溶液法制备、可印刷于柔性基底，在下一代显示背板、物联网传感器芯片上潜力巨大；欧盟 RoHS 与各国对含铅电子材料的限制使无铅化成为必答题。锡基等无铅钙钛矿的p型传输长期不稳定，本工作属「材料稳定性+器件性能」双突破。注意主体为韩国 SKKU/POSTECH 联合中国电子科技大学合作研究，属国际科研合作成果报道。 （来源：AZoM）