11月9日消息，据Phys.org报道，韩国成均馆大学（SKKU）纳米技术先进研究院（SAINT）Seong Sik Shin教授领衔的国际联合团队，开发出一种缺陷显著降低的下一代钙钛矿半导体薄膜。合作方包括韩国化学技术研究院（KRICT）、美国加州大学圣地亚哥分校与普林斯顿大学。

该工作采用液辅晶体生长（liquid-assisted crystal growth）路线调控薄膜结晶过程，从而减少钙钛矿薄膜中的缺陷；在同一材料平台上，团队演示了高性能太阳能电池器件。

钙钛矿半导体目前是光伏与光电领域最活跃的材料平台之一，但薄膜中的缺陷态一直是制约器件效率与长期稳定性的关键瓶颈，结晶质量控制因此成为产业化和实验室共同的主攻方向。此前业内通行思路包括添加剂工程与表面钝化，而液辅生长直接作用于晶体生长环节，从源头减少缺陷生成，为高质量钙钛矿薄膜提供了新的制备路径。

对产业侧而言，韩国研究机构（KRICT）深度参与此类工艺开发，与韩国本土光伏及显示产业链的量产化诉求直接相关——缺陷密度的下降通常同时意味着效率提升与衰减放缓，是钙钛矿电池走向耐久性验证与规模应用的核心指标。该成果的器件级详细性能参数尚未在报道中完整披露。 （来源：Phys.org）