超晶格工程提升无铅储能陶瓷效率:低电场下储能密度与效率双突破
据AZoM报道,研究人员通过超晶格工程在无铅陶瓷电容器材料中实现更低电场下的高储能效率,为替代含铅的锆钛酸铅(PZT)类介质材料提供新路径。无铅压电与介质材料是电子元器件环保化的长期瓶颈。
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据AZoM报道,研究人员通过超晶格工程在无铅陶瓷电容器材料中实现更低电场下的高储能效率,为替代含铅的锆钛酸铅(PZT)类介质材料提供新路径。无铅压电与介质材料是电子元器件环保化的长期瓶颈。
奥地利蒙特大学Paul Heinz Mayrhofer团队联合中奥瑞典学者设计TiN/TaN超晶格涂层,通过C、B、Si界面掺杂调控原子尺度界面化学与缺陷稳定结构:硬度从未掺杂的34GPa提升至Si掺杂的41GPa,断裂韧性从2.8提升至B掺杂的4.0 MPa·m^0.5,第一性原理计算揭示空位稳定的TaN层增强弹性顺应性,为硬质涂层硬度-韧性兼顾提供新路径。