ARPES

超薄二氧化钌中开关新型磁性：自旋分辨ARPES观测到交替磁自旋纹理

莱斯大学Ming Yi团队联合明尼苏达大学、保罗谢勒研究所，利用自旋分辨角分辨光电子能谱在超薄二氧化钌薄膜中观测到与非常规磁性（交替磁）一致的自旋纹理，发现晶格应变是诱导磁性的关键条件，为自旋电子学与新型存储器设计提供了可调控的量子材料平台。研究发表于Science Advances。

全球化学情报 8月27日 18:58 20