亚利桑那州立大学紧凑型X射线光源实现最快脉冲,将开放为国家用户装置
ASU的CXFEL实验室在紧凑型X射线自由电子激光装置上完成最新一轮调试实验,产出该类紧凑装置迄今最快的X射线脉冲并首次实现量子动力学时间分辨研究,装置将正式向全球科学界开放为国家用户装置,可用于蛋白质、成像与量子过程研究。
共 15 篇,B910化工
ASU的CXFEL实验室在紧凑型X射线自由电子激光装置上完成最新一轮调试实验,产出该类紧凑装置迄今最快的X射线脉冲并首次实现量子动力学时间分辨研究,装置将正式向全球科学界开放为国家用户装置,可用于蛋白质、成像与量子过程研究。
10月29日刊于《自然·材料》的研究报道了一种电子束辅助减法方法,可控制备自由站立的金属氧化物单层材料,并能构建横向异质结与扭转双层,显著拓展了二维量子材料的材料空间。
日本物质材料研究机构(NIMS)领衔、包括德国基尔大学在内的联合团队利用有机分子自组装构建二维结构,同时呈现蜂窝与笼目(Kagome)两种晶格特性,并观测到拓扑材料特有的边缘态。成果为超分子路线构建量子材料开辟新方向。
雷根斯堡大学与多机构团队在层状磁体CrSBr微腔中实现磁可调的激子-极化子凝聚:2特斯拉外场可使凝聚体能量移动达10.5毫电子伏,首次为这类光-物质杂化凝聚态加上自旋自由度的控制旋钮,成果于10月8日发表于Nature Materials。
加州大学洛杉矶分校段镶锋团队在《自然-化学》发文,通过在1T-TaS₂二维材料层间插入精氨酸分子,将commensurate电荷密度波(CCDW)态的稳定温度从低温区提升至330K(约57°C),为室温下调控关联电子态提供了分子工程策略。
Phys.org 9月19日报道,研究显示强光束可临时重塑材料的电子能带结构,使石墨烯进入瞬态拓扑非平衡态;双色光组合被用于精确操控电子在这一瞬态拓扑态中的流动,为光控超快量子器件与光子学开关提供新路径。
爱荷华大学化学家在Nature Communications发表研究,设计以钨氧为主的笼状多酸分子捕获铽原子并改变其氧化态,在无需苛刻受控环境条件下分离出罕见的Tb(IV)态。该概念验证表明镧系元素的氧化态调控分离路线可行,或降低稀土提纯成本,拓展铽在量子技术中的应用。
圣保罗大学联合Los Alamos国家实验室等在Nature Communications报道,三维拓扑绝缘体ZrTe5在温度驱动下出现反常量子振荡,强磁场电输运实验表明电子不仅输运电荷,还涉及自旋自由度。ZrTe5位于拓扑相边界附近,是研究该物理的理想平台。
曼彻斯特大学国家石墨烯研究所团队构建了间距小于1纳米且电学解耦的双魔角双层石墨烯器件,通过可调屏蔽层削弱电子间库仑相互作用后,超导被完全抑制。这为电子相互作用驱动(非常规)超导机制提供了直接实验证据。论文发表于《Physical Review X》。
莱斯大学Ming Yi团队联合明尼苏达大学、保罗谢勒研究所,利用自旋分辨角分辨光电子能谱在超薄二氧化钌薄膜中观测到与非常规磁性(交替磁)一致的自旋纹理,发现晶格应变是诱导磁性的关键条件,为自旋电子学与新型存储器设计提供了可调控的量子材料平台。研究发表于Science Advances。
arXiv预印本(2608.25331)报道通过范德华外延合成单层与双层Nb2Pd3Te5二维超导体,超低温扫描隧道显微镜/谱观测到0.6K以下超导电性及显著的准一维配对密度调制,且单双层均表现出空气稳定性——罕见的结构各向异性超导平台,论文已发表于Advanced Materials。
8月19日ScienceDaily报道,MIT物理学家Nuh Gedik团队在Nature Physics发表研究,利用铒三碲化物研究发现两种截然不同的电子组织形式可在同一量子材料中共存——电子既可形成类似冰的有序晶格,又可保持类似水的无序分布,阐明了多相共存的动力学路径,对开发超导、磁性及未来量子器件具有重要意义。
路易斯安那州立大学Omar Magana-Loaiza团队在Nature发表论文,首次在室温下实现了量子态光的识别和传输。该超材料由金薄膜蚀刻数百个微结构构成,解决了量子材料需要近绝对零度制冷的核心障碍,为量子技术小型化和实用化开辟新路径。
Seigo Ogawa、Tomoki Miyoshi、Guo-qing Zheng等冈山大学相关团队6月23日在arXiv提交论文,报道铬基化合物K2Cr3As3的自旋三重态拓扑超导证据。该材料Tc为6.2 K且无磁有序,团队通过核磁共振发现低场A/B相和高场C相三种超导相,为可调控拓扑超导和Majorana物理研究提供新的量子材料平台。
研究团队发现磁场辅助生长可使MnBi2Te4单晶从A型反铁磁基态转变为铁磁基态,Curie温度约12.5K。晶体结构不变但磁序重构,第一性原理计算和de Haas-van Alphen振荡证实了这一发现,为调控磁性拓扑绝缘体电子性质提供新路径。