Science Tokyo实现纳米多铁材料电场翻转磁化，迈向超低功耗磁存储
东京科学大学Shigematsu团队与住友化学、KISTEC合作，在Science Advances发表研究：制备约190nm的BiFe0.9Co0.1O3多铁纳米点阵列，施加电场使极化构型从中心汇聚翻转为中心发散，同时面内面外磁化同步反转。电场写磁替代电流写磁（STT-MRAM），可大幅降低写入能耗，单个纳米点还可编码多态超越二进制存储。
电场调控
共 1 篇 · B910化工 · AI 化学信息库
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东京科学大学Shigematsu团队与住友化学、KISTEC合作，在Science Advances发表研究：制备约190nm的BiFe0.9Co0.1O3多铁纳米点阵列，施加电场使极化构型从中心汇聚翻转为中心发散，同时面内面外磁化同步反转。电场写磁替代电流写磁（STT-MRAM），可大幅降低写入能耗，单个纳米点还可编码多态超越二进制存储。
