Science Tokyo实现纳米多铁材料电场翻转磁化，迈向超低功耗磁存储
东京科学大学Shigematsu团队与住友化学、KISTEC合作，在Science Advances发表研究：制备约190nm的BiFe0.9Co0.1O3多铁纳米点阵列，施加电场使极化构型从中心汇聚翻转为中心发散，同时面内面外磁化同步反转。电场写磁替代电流写磁（STT-MRAM），可大幅降低写入能耗，单个纳米点还可编码多态超越二进制存储。
低功耗
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宾州州立大学将DNA变成存储器件：与钙钛矿晶体结合，功耗降低100倍
宾州州立大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表论文并申请专利：以定制合成DNA序列与结晶钙钛矿半导体结合，构建全新混合存储材料平台，DNA单克可存2.15亿GB数据，制成的器件功耗较常规电子存储降低100倍，为数据中心高密度低功耗存储提供新路径。