KAIST量化电池纳米测量伪影来源,粗糙表面即可产生类离子输运信号
韩国科学技术院(KAIST)材料系研究团队定量揭示了电化学应变显微镜(ESM)中由表面粗糙度引起的测量伪影机制:在无离子输运的单晶硅上加工细沟槽后,仅表面高低变化即可改变探针接触产生类似真实离子迁移的信号,并提出了抑制方法以避免电池材料离子输运图谱误判。
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韩国科学技术院(KAIST)材料系研究团队定量揭示了电化学应变显微镜(ESM)中由表面粗糙度引起的测量伪影机制:在无离子输运的单晶硅上加工细沟槽后,仅表面高低变化即可改变探针接触产生类似真实离子迁移的信号,并提出了抑制方法以避免电池材料离子输运图谱误判。
KAIST材料系洪承范教授团队联合同校多个课题组,查明电化学应变显微镜(ESM)在电池材料纳米尺度分析中的伪影来源:表面凹凸导致的探针接触变化可产生与真实离子迁移高度相似的信号,并在石墨负极与钠离子固体电解质Na2Zn2TeO6上得到验证。团队提出的氩离子冷却截面抛光(CCP)制样方案可有效抑制伪影,成果发表于《Small Methods》,将提升固态与钠离子电池材料开发的测量可靠性。