KAIST量化电池纳米测量伪影来源,粗糙表面即可产生类离子输运信号
韩国科学技术院(KAIST)材料系研究团队定量揭示了电化学应变显微镜(ESM)中由表面粗糙度引起的测量伪影机制:在无离子输运的单晶硅上加工细沟槽后,仅表面高低变化即可改变探针接触产生类似真实离子迁移的信号,并提出了抑制方法以避免电池材料离子输运图谱误判。
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韩国科学技术院(KAIST)材料系研究团队定量揭示了电化学应变显微镜(ESM)中由表面粗糙度引起的测量伪影机制:在无离子输运的单晶硅上加工细沟槽后,仅表面高低变化即可改变探针接触产生类似真实离子迁移的信号,并提出了抑制方法以避免电池材料离子输运图谱误判。