汞基铜氧化物超导体刷新零电阻温度纪录，常压下推进至约151K
6月24日消息，休斯顿大学与美国能源部阿贡国家实验室合作，通过压力淬火工艺将汞钡钙铜氧（HgBa₂Ca₂Cu₃O₈+δ）铜氧化物超导体的零电阻温度较1993年保持30余年的纪录提升约30华氏度。研究发表于《PNAS》，为常压、较高温超导材料的实用化迈出关键一步。
休斯顿大学
共 1 篇
共 1 篇
6月24日消息，休斯顿大学与美国能源部阿贡国家实验室合作，通过压力淬火工艺将汞钡钙铜氧（HgBa₂Ca₂Cu₃O₈+δ）铜氧化物超导体的零电阻温度较1993年保持30余年的纪录提升约30华氏度。研究发表于《PNAS》，为常压、较高温超导材料的实用化迈出关键一步。
