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汞基铜氧化物超导体刷新零电阻温度纪录,常压下推进至约151K

6月24日消息,休斯顿大学与美国能源部阿贡国家实验室合作,通过压力淬火工艺将汞钡钙铜氧(HgBa₂Ca₂Cu₃O₈+δ)铜氧化物超导体的零电阻温度较1993年保持30余年的纪录提升约30华氏度。研究发表于《PNAS》,为常压、较高温超导材料的实用化迈出关键一步。

B910化工 6月26日 12:09 312

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