伯克利实验室发现二氧化钛纳米薄膜铁电性,为低功耗微芯片存储逻辑器件开辟新路径
劳伦斯伯克利国家实验室Sayeef Salahuddin团队在Science发文,发现二氧化钛(TiO2)在原子级厚度下呈现铁电性,极化方向可被外电场翻转,可用于制造超低功耗微芯片存储和逻辑器件。
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劳伦斯伯克利国家实验室Sayeef Salahuddin团队在Science发文,发现二氧化钛(TiO2)在原子级厚度下呈现铁电性,极化方向可被外电场翻转,可用于制造超低功耗微芯片存储和逻辑器件。