劳伦斯伯克利国家实验室:EUV光刻技术可打印比头发细五万倍的微观图形
美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室(Berkeley Lab)X射线光学中心(CXRO)发文回顾EUV光刻技术的研发历程:该技术可打印比人发细五万倍的电路图形,使单颗芯片集成超1000亿晶体管成为可能。自2019年商业化以来,EUV光刻已成为延续摩尔定律的关键支撑,CXRO与产业界20余年的合作研究构成了技术突破的重要基础。
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美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室(Berkeley Lab)X射线光学中心(CXRO)发文回顾EUV光刻技术的研发历程:该技术可打印比人发细五万倍的电路图形,使单颗芯片集成超1000亿晶体管成为可能。自2019年商业化以来,EUV光刻已成为延续摩尔定律的关键支撑,CXRO与产业界20余年的合作研究构成了技术突破的重要基础。
劳伦斯伯克利实验室与UC Berkeley等机构在Nature发表研究,开发出可解析二维半导体中异常电子态的新成像方法。Mike Crommie与Feng Wang团队表示,该方法为发现前所未见的电子行为、开发极限微缩下的新型半导体器件打开大门,对后摩尔时代2D半导体器件工程具有重要意义。
劳伦斯伯克利国家实验室联合UC Berkeley团队发布uMOF三件套:覆盖19950个金属有机框架(MOF)、85524个构型的r²SCAN-D4精度DFT数据集,3986条经文献验证的实验性质基准,以及两个微调自MACE基础模型的通用机器学习原子间势。在气体吸附焓与吸附等温线等难度更高的动力学敏感性质上,uMOF模型超越全部对比基线,误差较现有MOF专用模型降低80%以上,达到实验不确定度水平。
劳伦斯伯克利实验室等机构开发出可重构显微镜MOSAIC,将十余种成像技术集成于一台紧凑仪器,2-5秒即可切换成像模式,并全部配备自适应光学校正;每小时的图像数据产出高达4TB,配套开源工具包PetaKit5D实现实时处理。该系统已在阿尔茨海默病人脑组织成像等实验中应用。
劳伦斯伯克利国家实验室Sayeef Salahuddin团队在Science发文,发现二氧化钛(TiO2)在原子级厚度下呈现铁电性,极化方向可被外电场翻转,可用于制造超低功耗微芯片存储和逻辑器件。