arXiv论文:应变增强RuO2薄膜超导性,实验与理论联合证实2K临界温度
Moeen ud din、Wei-Li Lee、Guang-Yu Guo等研究者10月15日在arXiv发表论文,在TiO2衬底上外延生长的RuO2(110)薄膜中观测到约2.0K的超导转变,20纳米与30纳米厚度薄膜均显现超导性;第一性原理计算表明外延应变改变声子色散,是超导性增强的关键机制。
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Moeen ud din、Wei-Li Lee、Guang-Yu Guo等研究者10月15日在arXiv发表论文,在TiO2衬底上外延生长的RuO2(110)薄膜中观测到约2.0K的超导转变,20纳米与30纳米厚度薄膜均显现超导性;第一性原理计算表明外延应变改变声子色散,是超导性增强的关键机制。
8月29日提交至arXiv的DFT研究显示,g-C3N4/GeS二维范德华异质结具II型能带排列(带隙2.17eV),双轴拉伸应变最高3%可调节带边位置对齐水产氢氧化电位:析氢自由能从0.2eV降至±0.1eV内近热中性,析氧过电位从2.17V大幅降至0.97V,可见光吸收与分子动力学模拟确认热力学稳定性。
莱斯大学Pengcheng Dai团队在《Physical Review X》发表研究,通过应变工程操控交错磁体碲化锰的反常霍尔效应,实现电学信号的可逆翻转,解决该材料多磁畴信号混杂问题,为实用化自旋电子器件铺路。