改进晶体生长技术让WTe2获得金属中最大磁阻，单层超导临界温度升至1.8 K

B910化工消息：过渡金属硫族化合物的电子性质对晶体缺陷极为敏感。2026 年 4 月 25 日提交至 arXiv 的研究（arXiv: 2604.23378）通过改进水平通量传输晶体生长技术，在拓扑半金属 WTe2 中实现了数量级的缺陷降低，并由此获得了一系列突破性结果。

通过电学输运和扫描隧道显微镜测量，研究团队确认新方法生长的晶体无序度降低了一个数量级。在低温下，这些晶体展现出金属中迄今报道的最大磁阻效应。

在二维极限下，剥离的单层 WTe2 首次在静电掺杂的金属态中观测到量子振荡，使得研究人员能够确定能带简并度以及电场诱导的谷分裂。更引人注目的是，单层器件表现出栅压调控的超导穹顶，其超导临界温度接近 1.8 K，显著高于此前报道值。

WTe2 因其拓扑物性、极大磁阻和压力诱导超导等奇特量子现象备受关注。该研究通过晶体质量的实质性提升，将 WTe2 的物性研究推进到新的高度，为拓扑电子学和栅控超导器件的应用奠定了基础。研究团队指出，该晶体生长改进方法有望在其他硫族化合物的材料质量提升中取得类似突破。 （来源：arXiv）