拓扑半金属

改进晶体生长技术让WTe2获得金属中最大磁阻，单层超导临界温度升至1.8 K

研究人员改进了水平通量传输晶体生长技术，使拓扑半金属WTe2的晶格缺陷降低一个数量级。低温下获得的晶体表现出金属中迄今最大的磁阻效应，剥离单层首次在静电掺杂金属态中观测到量子振荡。单层器件还展现出栅压调控的超导穹顶，临界温度接近1.8 K，显著高于此前报道。

B910化工 4月28日 10:29 308