稀土MXenes首次合成成功：兼具半导体与磁性，Nature报道全新二维材料
研究团队首次将稀土元素引入MXene二维材料家族，合成出兼具半导体和磁性的全新材料体系（Nature 2026），为下一代节能电子器件和自旋电子学开辟了全新材料平台。传统MXene合成依赖MAX相前驱体刻蚀，而稀土元素无法进入MAX相结构，研究团队开发了全新的自下而上合成路径突破这一瓶颈。
二维材料
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机器学习预测二维TMD合金光学性质
研究人员结合第一性原理光学计算与表格基础模型回归，预测Mo-W-S-Se-Te二维过渡金属硫族化物合金的介电函数，仅用四元合金训练即在留出组合上R2>0.98，并可零样本泛化到二元/三元/五元体系。
光驱动铁性翻转实现氢吸附热力学可逆控制，二维铁电材料开辟储氢新路径
一项由中外合作团队发表的研究表明，通过光驱动二维离子铁电单分子层TiGeSe3中的铁性序翻转，可将氢吸附自由能在0.33~1.11 eV范围内连续调控，实现从近热中性到自发脱附的快速可逆切换，皮秒级载流子复合可恢复初始铁性序，为储氢和催化提供了一种全新的光学可寻址热力学调控方案。
埃米级二维通道中离子液体电导率突破体相值30倍，新能源器件设计获新思路
发表在arXiv上的最新研究显示，将离子液体[EMIM][TFSI]限制在埃米级二维狭缝通道中，可实现高达26.7 S/m的电导率，为体相值的30倍以上。最优通道高度为1.02 nm，此时离子对和离子团簇的解离产生大量自由离子，显著提升电导率。引入乙腈共溶剂后电导率进一步跃升至约145 S/m。该成果为下一代电池、超级电容器等电化学储能器件的界面工程提供了新策略。
二维CrSi2N4单层材料研究：应变调控可显著提升析氢催化性能
研究人员基于第一性原理密度泛函理论计算发现，二维CrSi2N4单层材料在+5%双轴拉伸应变下，析氢反应氢吸附自由能从1.05 eV降至0.46 eV，同时该材料还展现出优异的热电性能（3.5 mW/mK2功率因子）和光电特性。
研究团队开发两步CVD法合成Ir(111)/硼烯/六方氮化硼垂直异质结构
德国研究团队利用硼烷单一前驱体，通过两步超高真空化学气相沉积法，在Ir(111)基底上成功合成硼烯与六方氮化硼的垂直异质结构，晶粒达微米级，为二维材料规模化制备提供新路径。
改进晶体生长技术让WTe2获得金属中最大磁阻，单层超导临界温度升至1.8 K
研究人员改进了水平通量传输晶体生长技术，使拓扑半金属WTe2的晶格缺陷降低一个数量级。低温下获得的晶体表现出金属中迄今最大的磁阻效应，剥离单层首次在静电掺杂金属态中观测到量子振荡。单层器件还展现出栅压调控的超导穹顶，临界温度接近1.8 K，显著高于此前报道。