东京理科大学首次在GaN衬底上外延生长出极性钨锌矿NbAlN半导体薄膜
东京理科大学小林笃志团队联合东京大学、三重大学，用反应溅射外延首次在GaN衬底上生长出单晶极性钨锌矿氮化铌铝（NbAlN）薄膜，铌含量最高25%仍保持与GaN一致的晶体结构与金属极性；插入NbAlN势垒层后异质结构面电子密度从5.1×10^12提升至1.7×10^13 cm^-2，增幅超三倍，成果发表于《Advanced Materials》，为GaN功率/射频器件设计开辟了新的过渡金属氮化物材料家族。
氮化物半导体
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