英国HexSeed融资60万英镑：把捕集CO₂变成半导体散热金刚石涂层
英国初创HexSeed Technology完成逾60万英镑早期融资，开发将捕集CO₂转化为合成金刚石涂层的低温微波等离子体工艺，直接在成品GaN功率器件上生长散热金刚石层，瞄准数据中心供电转换散热难题，下一步推进商用器件验证。
氮化镓
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东京理科大学首次在GaN衬底上外延生长出极性钨锌矿NbAlN半导体薄膜
东京理科大学小林笃志团队联合东京大学、三重大学，用反应溅射外延首次在GaN衬底上生长出单晶极性钨锌矿氮化铌铝（NbAlN）薄膜，铌含量最高25%仍保持与GaN一致的晶体结构与金属极性；插入NbAlN势垒层后异质结构面电子密度从5.1×10^12提升至1.7×10^13 cm^-2，增幅超三倍，成果发表于《Advanced Materials》，为GaN功率/射频器件设计开辟了新的过渡金属氮化物材料家族。
芝加哥大学联手阿贡实验室突破“不可能”合成：金属氮化物纳米晶体制备新方法登上《自然》
芝加哥大学与阿贡国家实验室的研究团队在《自然》发表研究，利用熔融盐介质与温度-氨气压的特定组合，首次实现金属氮化物纳米晶体的可控制备，一次解锁近12种传统方法无法合成的材料，包括氮化镓、氮化钛、氮化铌和氮化钼。这类纳米晶体可掺入聚合物、喷墨打印或织入织物，为柔性照明、医用植入物、超导体和催化剂开辟全新应用空间。
Enphase发布面向AI数据中心的分布式固态变压器，单机1.25 MW直供800V直流电
Enphase Energy发布IQ固态变压器（SST），专为AI数据中心设计。模块化系统单机1.25 MW，由342个热插拔功率模块组成，可将中压交流电单级转换为800V直流电，峰值效率98.5%。基于第五代22nm Kestrel控制ASIC和双向氮化镓功率开关技术，预计2028年量产。