CoSi

《自然·材料》：单晶CoSi半金属薄膜登上互连材料舞台，20纳米厚度电阻率仅为铜的十分之一

香港城市大学等机构在《自然·材料》发表研究：CoSi半金属单晶薄膜厚度从1微米减薄至约20纳米时，电阻率反而从7.0降至0.72微欧·厘米，20纳米厚度室温电阻率仅为同厚度铜的十分之一，高聚结合能与迁移势垒赋予优异电迁移可靠性，为后摩尔互连缩放提供新材料选项。

B910化工 9月9日 06:19 26