9月9日消息，《自然·材料》（Nature Materials）9月8日刊发一项来自香港城市大学等机构合作的研究，报道了面向先进半导体互连的单晶CoSi半金属材料，第一作者Jiewei Chen，通讯作者包括Yang Chai等。

随着最先进铜互连尺寸缩至纳米级，载流子表面散射急剧推高电阻，造成信号延迟与可靠性问题，业界亟需超越常规电荷输运机制的替代导体。该研究证明CoSi半金属可支撑高缩放性、高导电与高可靠的互连应用：当CoSi薄膜厚度从1微米减至约20纳米时，其电阻率不升反降——从7.0 μΩ·cm降至0.72 μΩ·cm，得益于高导电表面通道；20纳米厚CoSi的室温电阻率仅为同厚度铜的十分之一。同时，CoSi的高聚结合能（5.4 eV）与原子迁移势垒（3.7 eV）赋予其优异的抗电迁移可靠性。

背景上，随着逻辑制程进入2纳米以下节点，钌、钼、CoSi等候选导体正被系统评估以替代铜互连。CoSi的特点是「越薄越导电」的反常尺寸效应，契合后摩尔时代互连缩放方向。研究还展示了该材料与现有半导体工艺的兼容性验证，团队认为其在先进逻辑与三维集成器件中具备直接应用潜力。 （来源：Nature Materials）