缺陷调控硅基复合支架实现无牺牲剂光催化制氢，析氢速率达1954 μmol·h⁻¹·cm⁻²
npj Clean Energy研究报道n型支架式Si-Zn0.3Mg0.7O半导体复合材料的自支撑形态可在无牺牲电子给体条件下光催化制氢，100瓦钨灯照射下最佳支架析氢速率1954 μmol·h⁻¹·cm⁻²，材料经800摄氏度镁热还原成型与650-950摄氏度煅烧强化，规避粉体催化剂回收难题，商业规模尚未验证。
硅基复合材料
共 1 篇 · B910化工 · AI 化学信息库
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npj Clean Energy研究报道n型支架式Si-Zn0.3Mg0.7O半导体复合材料的自支撑形态可在无牺牲电子给体条件下光催化制氢，100瓦钨灯照射下最佳支架析氢速率1954 μmol·h⁻¹·cm⁻²，材料经800摄氏度镁热还原成型与650-950摄氏度煅烧强化，规避粉体催化剂回收难题，商业规模尚未验证。
