蓝宝石

康奈尔团队在蓝宝石上长出7 eV超宽禁带半导体薄膜，导电能力超此前纪录1亿倍

康奈尔大学Darrell Schlom团队在蓝宝石衬底上以分子束外延生长掺硅α-(AlxGa1-x)2O3薄膜，实现超过7 eV的半导体禁带宽度纪录，且在6 eV以上“巨禁带”区间室温导电能力较此前任何报道高出1亿倍，二极管与晶体管均成功运行。成果发表于《自然》。

B910化工 10月22日 19:56 28