氧化镓异质外延出现无位错塑性弛豫：单平面相变机制获揭示
意大利米兰比可卡大学L. Miglio团队联合中芬学者通过DFT、连续成核理论与分子动力学模拟，揭示β-Ga2O3在c面蓝宝石上外延生长的塑性弛豫机制：弛豫通过湿润层与β相共享氧平面下方Ga原子重排实现，单个平面内完成局部α到β弛豫相变，从而解释了实验中β膜完全弛豫却观察不到位错的反常现象。
宽禁带半导体
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arXiv论文：增强型垂直Ga2O3功率MOSFET新进展——MOCVD再生长n+接触层免注入工艺实现980V击穿电压
8月19日提交至arXiv的论文演示了一种基于选择性MOCVD再生长Si掺杂n+层的无注入欧姆接触技术，用于增强型垂直β-Ga2O3 U槽MOSFET。器件阈值电压约5V，开关比1.15×10^6，比接触电阻率低至2.65×10^-7 Ω·cm²，关态击穿电压920-980V，多指器件电流可扩展至0.25A。
高温高压法生长出厘米级立方氮化硼单晶，尺寸突破此前3mm极限
研究人员使用Ni-Cr基溶剂催化剂的高温高压温度梯度法，成功生长出尺寸超过10毫米的立方氮化硼单晶，远超此前约3毫米的最大尺寸记录。关键突破在于1950摄氏度下维持一周生长过程中的稳定前驱体熔体。
硼-氢-磷三元素共掺杂突破金刚石N型半导体长期难题
研究人员通过精确控制的硼-氢-磷三元素共掺杂策略，在一步生长过程中实现了稳定的N型单晶金刚石。霍尔效应测量显示电子浓度高达1.0×10¹⁹ cm⁻³，电阻率低至0.249 Ω·cm。共掺金刚石还在270-285 nm波段展现出强紫外发射，内量子效率达69.4%，为低电阻高发光N型金刚石芯片开辟了可行路径。