康奈尔团队在蓝宝石上长出7 eV超宽禁带半导体薄膜，导电能力超此前纪录1亿倍
康奈尔大学Darrell Schlom团队在蓝宝石衬底上以分子束外延生长掺硅α-(AlxGa1-x)2O3薄膜，实现超过7 eV的半导体禁带宽度纪录，且在6 eV以上“巨禁带”区间室温导电能力较此前任何报道高出1亿倍，二极管与晶体管均成功运行。成果发表于《自然》。
分子束外延
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简化分子束外延生长多层FeSe薄膜，零电阻超导转变达20K
美国宾州州立大学Roman Engel-Herbert、Cui-Zu Chang等团队报告大幅简化的β-FeSe/SrTiO3分子束外延生长方案：无需基底精细预处理与生长后超高真空退火，14单胞层厚外延膜仍实现约20K的零电阻超导转变，打破精细工艺必不可少的既有认知，为界面增强超导研究提供便捷材料平台。