离子记忆

《自然·材料》揭示二维纳米通道离子记忆的力学起源，电压驱动鼓包成关键机制

发表于《自然·材料学》的研究通过直接实验证据证明，二维纳米通道器件的离子记忆效应源于电压驱动的机电耦合鼓包变形，为构建可靠的纳米流体忆阻器与离子信息处理器件提供新策略。

B910化工 10月30日 07:17 27