三星SAIT碳调控钌晶体取向技术登场：互连线电阻直降45%，剑指2纳米AI芯片
三星尖端技术研究所（SAIT）联合GIST与MIT开发出全球首个利用微量碳控制钌晶体尺寸与取向的技术，制得99%以上晶向一致的钌薄膜，纳米互连线电阻较常规钌互连降低约45%，成果8月13日发表于《科学》。该技术可在非晶绝缘膜上实现高取向生长，具备应用于3D半导体结构的潜力，被视为2纳米节点互连的关键候选。
2纳米
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三星尖端技术研究所（SAIT）联合GIST与MIT开发出全球首个利用微量碳控制钌晶体尺寸与取向的技术，制得99%以上晶向一致的钌薄膜，纳米互连线电阻较常规钌互连降低约45%，成果8月13日发表于《科学》。该技术可在非晶绝缘膜上实现高取向生长，具备应用于3D半导体结构的潜力，被视为2纳米节点互连的关键候选。
