铁电介质

亚纳米铂颗粒嵌入有机晶体管：库仑阻塞效应带来20V记忆窗口，助力神经形态计算

密苏里大学团队在arXiv发布研究（2608.20245），将亚纳米铂纳米颗粒均匀分散的Al2O3/PtNP/Al2O3超薄界面层插入聚合物半导体与铁电介质之间，有机薄膜晶体管记忆窗口超过20V，室温下呈现库仑阻塞状输运与分立能级，支持电学与光学双模编程及长短期可塑性，为神经形态计算的短期可塑性实现开辟新方向。

B910化工 8月21日 23:56 18