8月25日消息，一篇提交至arXiv的研究（编号2608.24710）由宾州州立大学Roman Engel-Herbert、Cui-Zu Chang（常翠祖）团队与合作者完成，报告了大幅简化的β-FeSe/SrTiO3(100)分子束外延（MBE）生长方案。

在SrTiO3(100)衬底上生长的多单胞层（UC）β-FeSe薄膜因超导转变温度相对块体FeSe显著提升而持续受到关注。以往报道的MBE生长需要精细的生长规程——SrTiO3衬底的仔细预处理与生长后超高真空（UHV）退火曾被普遍认为是获得增强Tc的必要条件，这抬高了该体系研究的门槛与结果重现难度。

该研究证明，通过适当参数优化与盖层保护，无需衬底精细预处理和生长后UHV退火的简化流程仍可生长出超导的多UC β-FeSe薄膜：14 UC厚度的外延膜在非原位（ex situ）电输运测量中表现出约20K的零电阻超导转变温度。生长优化过程由薄膜形貌与应变状态的生长参数依赖性指导。

这一结果打破了“精细预处理与退火必不可少”的既有信念，表明增强超导的关键因素在于界面结构本身而非复杂工艺序列。简化的生长方案将显著降低材料制备门槛、提升不同实验室间的可重复性，为系统研究FeSe/氧化物界面增强超导机制（如界面电声耦合与电荷转移）及制备更多用于物性调控的超导异质结提供了便利平台。 （来源：arXiv）