10月8日消息，市场研究机构Counterpoint Research当日发布内部分析结果，针对近期流传的「HBM产能缩减」传闻明确表态：「对存储需求放缓的担忧是一种误解」，10月市场对存储需求增长的信心反而增强。

此前有产业界声音称，英伟达要求主要HBM供应商将堆叠层数从现有的12层降至8层，并由此引发推论：若单颗HBM容量下降，通用DRAM产量将增加，进而拉低存储价格。Counterpoint分析认为，搭载英伟达下一代AI加速器Rubin的大部分产品实际正向12层配置收敛——在AI计算中，确保数据处理所需的带宽与容量比降低成本更重要；ASIC市场同样未观察到4层产品的出现。

该机构指出，HBM生产所需产能是通用DRAM的3倍以上，HBM扩产将持续限制通用DRAM供给，形成支撑存储价格的结构性力量。若HBM需求维持，通用DRAM的供应短缺也很可能延续。

三星电子同日发布的初步业绩为这一判断提供了注脚：第三季度营业利润107.4万亿韩元，为韩国企业季度营业利润首次突破100万亿韩元。Counterpoint认为汇率是「纪录级业绩未见大规模盈利惊喜」的原因——三星美元计价收入占比高，美元兑韩元汇率骤降带来换算利润收缩压力，并预测「三星的创纪录业绩不会是一次性事件」。

对存储产业链，该分析意味着HBM挤占DRAM产能的供需紧张框架在中期内延续，存储涨价周期具备需求侧支撑；12层堆叠主导的规格路线也明确了先进封装工艺与上游材料环节的持续增量。 （来源：BusinessKorea）