10月19日消息，据AZoM报道，一项发表于《科学报告》（Scientific Reports）的概念验证研究显示，精密聚焦的极紫外（EUV）强飞秒激光脉冲可在单发次内重塑硅表面，实现亚微米级精度的硅材料加工，为无掩模（maskless）半导体微细加工开辟了新路径。

研究团队演示了利用强飞秒EUV脉冲对硅表面进行高精度刻蚀的方案。与传统光刻依赖掩模与光刻胶图形转移不同，该方法以聚焦EUV光束直接写入结构，省去了掩模制造环节，适用于快速原型验证与小批量特种器件制造。

EUV波长短，衍射极限远小于深紫外光，理论上可实现更高分辨率；而飞秒级脉冲宽度使能量沉积在极短时间内完成，热扩散被抑制，加工热影响区小、精度高。AZoM提示，该研究报道于论文录用前的预编辑版本，结论尚待最终定稿确认。

对半导体与光子学制造而言，单发次EUV直写若走向工程化，将在两个场景形成价值：一是先进封装与硅光子学中定制化微结构的快速制备，二是科研级纳米器件的敏捷加工。当前EUV光源功率与光学系统成本仍是产业化门槛，其技术路线与晶圆级光刻更多是互补而非替代关系。 （来源：AZoM）