硅加工

单次飞秒EUV激光脉冲刻蚀硅表面达亚微米精度，无掩模半导体加工新路径

发表于《科学报告》的概念验证研究显示，强飞秒极紫外（EUV）激光脉冲可在单发次内对硅表面实现亚微米精度加工，为无掩模半导体微细制造与光子学器件直写提供了新工具。

B910化工 10月19日 20:02 30