二硫化钼

台积电与阳明交大突破2D晶体管界面难题：0.42纳米缓冲层实现等效1纳米绝缘层

发表于Nature Electronics的研究中，阳明交大与台积电团队在原子级薄二硫化钼表面沉积0.3纳米铝层并氧化为约0.42纳米氧化铝缓冲层，解决了2D半导体无悬挂键表面难以均匀沉积绝缘体的难题，制成绝缘层等效约1纳米二氧化硅的MoS2晶体管，兼具低漏电、高迁移率与栅控能力，为2D半导体走向先进制程提供界面工程路径。

B910化工 9月12日 12:18 7