台积电与阳明交大突破2D晶体管界面难题：0.42纳米缓冲层实现等效1纳米绝缘层
发表于Nature Electronics的研究中，阳明交大与台积电团队在原子级薄二硫化钼表面沉积0.3纳米铝层并氧化为约0.42纳米氧化铝缓冲层，解决了2D半导体无悬挂键表面难以均匀沉积绝缘体的难题，制成绝缘层等效约1纳米二氧化硅的MoS2晶体管，兼具低漏电、高迁移率与栅控能力，为2D半导体走向先进制程提供界面工程路径。
台积电
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2nm芯片竞赛转向散热封装：苹果WMCM与三星铜热径HPB各出奇招
随着苹果iPhone 18 Pro搭载台积电N2工艺A20 Pro、三星Galaxy S26搭载2nm GAA工艺Exynos 2600，移动芯片竞争重心转向后端散热封装：苹果改用台积电WMCM封装将AP与DRAM并排布置，持续性能提升40%；三星首次在移动SoC引入铜制HPB热径并用高k EMC，封装内热阻降低16%。