美国光伏单晶炉商Linton起诉京仪股份:指控晶体生长设备专利侵权
纽约单晶硅炉制造商Linton Crystal Technologies在得州马歇尔分区联邦法院起诉中国晶硅生长设备商京仪股份(Jingsheng)专利侵权。Linton为中国大连联讯母公司旗下企业,涉案指向直拉单晶炉核心专利。
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纽约单晶硅炉制造商Linton Crystal Technologies在得州马歇尔分区联邦法院起诉中国晶硅生长设备商京仪股份(Jingsheng)专利侵权。Linton为中国大连联讯母公司旗下企业,涉案指向直拉单晶炉核心专利。
印度晶体生长设备制造商Raana Semiconductors计划10-12个月内推出商用级12英寸直拉法(CZ)单晶炉,目标未来三年支撑约10GW电池产能,并在泰米尔纳德邦Hosur建设4万平方英尺制造基地,现有设备本土化率约70%。