印度Raana Semiconductors将推12英寸CZ单晶炉，瞄准印度光伏上游国产化
印度晶体生长设备制造商Raana Semiconductors计划10-12个月内推出商用级12英寸直拉法（CZ）单晶炉，目标未来三年支撑约10GW电池产能，并在泰米尔纳德邦Hosur建设4万平方英尺制造基地，现有设备本土化率约70%。
拉晶
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印度Agastya Energy启动12GW拉晶切片厂建设，投资8.15亿美元
印度光伏制造商Agastya Energy在安得拉邦Kurnool启动一体化拉晶与硅片工厂建设，投资780亿卢比（约8.15亿美元），年铭牌产能12GW，是其继今年组件投产、明年电池线计划后的上游延伸。印度MNRE已提议将拉晶切片纳入ALMM清单，供应链本土化政策正驱动本地制造商向硅片环节进军。
Agastya Energy投资780亿卢比扩建印度Kurnool太阳能制造基地
印度Agastya Green Energy宣布投资约780亿卢比（约93亿美元），在安得拉邦Kurnool的Orvakal工业区建设12GW拉晶和12GW硅片产能，补齐其从铸锭到组件的垂直一体化光伏制造链条，预计创造逾3500个就业岗位。