印度Raana Semiconductors将推12英寸CZ单晶炉,瞄准印度光伏上游国产化
印度晶体生长设备制造商Raana Semiconductors计划10-12个月内推出商用级12英寸直拉法(CZ)单晶炉,目标未来三年支撑约10GW电池产能,并在泰米尔纳德邦Hosur建设4万平方英尺制造基地,现有设备本土化率约70%。
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印度晶体生长设备制造商Raana Semiconductors计划10-12个月内推出商用级12英寸直拉法(CZ)单晶炉,目标未来三年支撑约10GW电池产能,并在泰米尔纳德邦Hosur建设4万平方英尺制造基地,现有设备本土化率约70%。
PV Tech Research发布《美国本土太阳能制造追踪》报告系列终章:到2030年美国将建成大部分已宣布产能,当前电池产能仅为组件产能33%的错配将大幅收窄;多晶硅产能预计达约50GW(仅约一半用于光伏),硅片产能从5GW增至约15GW但仍是最薄弱环节,本土硅锭缺乏切片能力的结构性瓶颈在预测期内无法解决。
PV Tech Research的美国本土光伏制造追踪器显示,在建可信电池产能55.90GW、组件41.36GW、多晶硅与硅锭22.1GW,而硅片仅13.3GW,且在全部四个项目阶段中硅片均为最小项。已披露投资至少32亿美元支撑约19GW组件新产能、58亿美元支撑约21.5GW电池产能,硅片缺口若不改观将延续至2030年。
PV Tech Research最新美国本土光伏制造追踪报告显示,美国多晶硅产能36GW中仅15.5GW分配给光伏,半导体级需求分流叠加232条款限制,上游硅料、硅片环节与规划产能差距最大,2030年目标存疑。
中国有色金属工业协会硅业分会8月19日表示,多晶硅市场在8月初几乎零成交后开始小幅复苏,n型致密料参考价40-42元/公斤;8月20日数据显示硅片价格暴涨——n型G10L单晶硅片均价1.12元/片,周涨40%。涨价主因是美国232关税贸易风险窗口期海外电池厂加速采购,以及印度传统安装旺季启动。大全新能源Q2营收6270万美元环比增135%,净亏损收窄至8120万美元。
印度光伏制造商Vikram Solar宣布董事会已批准在泰米尔纳德邦Gangaikondan新近投产的6GW组件厂内建设9GW硅片与拉棒产能,目标是将从拉棒到组件的完整光伏价值链置于同一屋檐下,减少进口依赖并强化本土供应链,支撑印度'自力更生'倡议下的能源自给目标。公司规划到FY2027建成9GW电池产能,FY2029-30前新增12GW拉棒切片产能。
印度光伏制造商Agastya Energy在安得拉邦Kurnool启动一体化拉晶与硅片工厂建设,投资780亿卢比(约8.15亿美元),年铭牌产能12GW,是其继今年组件投产、明年电池线计划后的上游延伸。印度MNRE已提议将拉晶切片纳入ALMM清单,供应链本土化政策正驱动本地制造商向硅片环节进军。
印度Agastya Green Energy宣布投资约780亿卢比(约93亿美元),在安得拉邦Kurnool的Orvakal工业区建设12GW拉晶和12GW硅片产能,补齐其从铸锭到组件的垂直一体化光伏制造链条,预计创造逾3500个就业岗位。
SK集团与斗山集团7月31日签署协议,斗山以约2.3万亿韩元(16亿美元)收购全球第三大硅片制造商SK Siltron 70.6%股权。SK Siltron是韩国唯一具备半导体硅片制造技术的企业,客户包括三星电子、SK海力士和台积电,去年营收超2万亿韩元。斗山借此完成从CCL基板到硅片前段、后段测试的半导体垂直整合。