化学气相沉积

arXiv：4英寸硅晶圆上生长超导硼掺杂金刚石薄膜，Tc最高4.03 K

研究人员用微波等离子体化学气相沉积在4英寸硅晶圆上系统研究硼掺杂金刚石超导薄膜，气相B/C比24691 ppm时获得最高超导转变温度4.03 K（2 K下上临界场3.091 T），并揭示了晶圆内Tc与硼掺入的空间不均匀性，为超导量子器件晶圆化提供工艺参照。

B910化工 9月16日 07:14 27