中科院化学所开发晶圆级二维MOF薄膜气相沉积法，厚度15纳米可调、可直接做人工突触器件
中科院化学所与哥本哈根大学团队在ChemRxiv发布二维金属有机框架(MOF)薄膜化学气相沉积(CVD)合成策略：预沉积HHTP配体薄膜与铜乙酰丙酮蒸气反应，在4英寸晶圆上直接制得高结晶Cu3(HHTP)2薄膜，厚度15-100纳米可调，换用镍、铂前驱体可通用化扩展，薄膜展现光控突触记忆特性，为MOF电子学走向器件化打通关键制备瓶颈。
化学气相沉积
共 2 篇，B910化工，AI 化学信息库
arXiv：4英寸硅晶圆上生长超导硼掺杂金刚石薄膜，Tc最高4.03 K
研究人员用微波等离子体化学气相沉积在4英寸硅晶圆上系统研究硼掺杂金刚石超导薄膜，气相B/C比24691 ppm时获得最高超导转变温度4.03 K（2 K下上临界场3.091 T），并揭示了晶圆内Tc与硼掺入的空间不均匀性，为超导量子器件晶圆化提供工艺参照。