arXiv:4英寸硅晶圆上生长超导硼掺杂金刚石薄膜,Tc最高4.03 K
研究人员用微波等离子体化学气相沉积在4英寸硅晶圆上系统研究硼掺杂金刚石超导薄膜,气相B/C比24691 ppm时获得最高超导转变温度4.03 K(2 K下上临界场3.091 T),并揭示了晶圆内Tc与硼掺入的空间不均匀性,为超导量子器件晶圆化提供工艺参照。
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研究人员用微波等离子体化学气相沉积在4英寸硅晶圆上系统研究硼掺杂金刚石超导薄膜,气相B/C比24691 ppm时获得最高超导转变温度4.03 K(2 K下上临界场3.091 T),并揭示了晶圆内Tc与硼掺入的空间不均匀性,为超导量子器件晶圆化提供工艺参照。
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