arXiv论文:铍氮二维材料h-Be3N2有望用于可见光光催化分解水制氢
印度研究团队基于第一性原理密度泛函理论计算表明,二维六方氮化铍(h-Be3N2)是带隙1.74 eV的直接带隙半导体,带边位置在中性/碱性条件下可同时满足析氢与析氧电位,具备可见光驱动整体光催化分解水的潜力,论文10月7日提交arXiv。
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印度研究团队基于第一性原理密度泛函理论计算表明,二维六方氮化铍(h-Be3N2)是带隙1.74 eV的直接带隙半导体,带边位置在中性/碱性条件下可同时满足析氢与析氧电位,具备可见光驱动整体光催化分解水的潜力,论文10月7日提交arXiv。