ChemRxiv预印本:制冷剂HFO-1234yf变身含氟砌块新来源,脱氟硅基化合成3,3-二氟丙炔基化合物
研究人员利用HFO-1234yf制冷剂的脱氟硅基化产物,经KHMDS碱作用合成3,3-二氟-1-硅基丙炔,DFT计算揭示去质子化-β-氟消除-1,3-质子迁移机理,该炔基硅化合物可与NHC配位的第11族金属氯化物转金属化,构筑新型3,3-二氟丙炔基金属乙炔化物,为含氟有机合成提供新工具。
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研究人员利用HFO-1234yf制冷剂的脱氟硅基化产物,经KHMDS碱作用合成3,3-二氟-1-硅基丙炔,DFT计算揭示去质子化-β-氟消除-1,3-质子迁移机理,该炔基硅化合物可与NHC配位的第11族金属氯化物转金属化,构筑新型3,3-二氟丙炔基金属乙炔化物,为含氟有机合成提供新工具。
印度研究团队基于第一性原理密度泛函理论计算表明,二维六方氮化铍(h-Be3N2)是带隙1.74 eV的直接带隙半导体,带边位置在中性/碱性条件下可同时满足析氢与析氧电位,具备可见光驱动整体光催化分解水的潜力,论文10月7日提交arXiv。
研究团队用密度泛函理论系统研究反钙钛矿固态电解质Li3OCl中硼、氦、氢取代缺陷的形成能与结构畸变,探索将热中子辐照嬗变产缺陷的策略从LiBO2推广至全固态锂电池电解质,为提升室温离子电导率提供新路径,论文9月11日提交arXiv。
国际团队通过第一性原理DFT计算研究过渡金属修饰碳纳米带的储氢性能:边缘置换12个氮原子后负载Mn或Y原子,平均氢吸附能分别达-0.40与-0.25 eV/H2,落在理想储氢能量区间,论文9月4日提交arXiv。
密度泛函理论计算显示,Li/Na/K功能化的二维C5N单层材料对氢分子的吸附强度显著提升,单层最多可稳定容纳六个金属掺杂原子,为轻质储氢材料设计提供了新的理论候选体系。论文9月4日提交arXiv。
8月19日提交至arXiv的研究结合原位偏压依赖拉曼光谱与DFT计算,研究了(PEA)2PbI4及其氟化类似物的载流子-晶格相互作用,发现注入载流子只与约100cm-1附近的特定声子模式选择性耦合,氟化通过重构分子堆积与晶体对称性延长声子寿命并增强载流子介导的晶格响应,为钙钛矿光电器件的稳定性设计提供微观依据。
德国研究者通过DFT计算提出在氧化物超晶格中实现交错磁性与金属性共存的设计策略:单层SrCrO3受限於(SrCrO3)1/(SrTiO3)1(001)超晶格时因轨道有序与八面体转动共存产生350meV非相对论自旋劈裂;(SrCrO3)4/(LaCrO3)4超晶格借助界面极性不连续实现120meV金属d波交错磁,为自旋电子学提供新平台。
巴西研究人员通过密度泛函理论计算系统研究了13种金属插层双苯撑双层膜的ORR/OER催化性能,发现含Ru、Os、Pt的系统展现出与商用催化剂竞争的过电位,为无铂族金属电催化剂设计提供新方向。
研究人员通过调控金属表面氧空位和聚合物羧基官能团的电子结构,使镁合金/碳纤维热塑性复合材料接头的抗剪强度提升一倍以上,无需胶粘剂中间层。该研究发表于Nature Communications,结合DFT计算和多种表征手段揭示了界面化学键合的内在电子机制。
研究人员基于第一性原理密度泛函理论计算发现,二维CrSi2N4单层材料在+5%双轴拉伸应变下,析氢反应氢吸附自由能从1.05 eV降至0.46 eV,同时该材料还展现出优异的热电性能(3.5 mW/mK2功率因子)和光电特性。