中科院化学所开发晶圆级二维MOF薄膜气相沉积法,厚度15纳米可调、可直接做人工突触器件
中科院化学所与哥本哈根大学团队在ChemRxiv发布二维金属有机框架(MOF)薄膜化学气相沉积(CVD)合成策略:预沉积HHTP配体薄膜与铜乙酰丙酮蒸气反应,在4英寸晶圆上直接制得高结晶Cu3(HHTP)2薄膜,厚度15-100纳米可调,换用镍、铂前驱体可通用化扩展,薄膜展现光控突触记忆特性,为MOF电子学走向器件化打通关键制备瓶颈。
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中科院化学所与哥本哈根大学团队在ChemRxiv发布二维金属有机框架(MOF)薄膜化学气相沉积(CVD)合成策略:预沉积HHTP配体薄膜与铜乙酰丙酮蒸气反应,在4英寸晶圆上直接制得高结晶Cu3(HHTP)2薄膜,厚度15-100纳米可调,换用镍、铂前驱体可通用化扩展,薄膜展现光控突触记忆特性,为MOF电子学走向器件化打通关键制备瓶颈。