《自然·通讯》：不对称铜位点MOF催化剂让碳化硅抛光在中性条件下提速
据《Nature Communications》一项研究，研究者通过轨道工程在Cu/ZIF-8中构建不对称铜位点，将类芬顿反应拓展到中性条件，羟基自由基生成量显著提升，可加速4H-SiC化学机械抛光（CMP）中的表面氧化，为功率半导体衬底的高效低损伤抛光提供新路线。传统SiC CMP材料去除速率通常低于10纳米/分钟。
芬顿反应
共 1 篇，B910化工，AI 化学信息库
共 1 篇，B910化工，AI 化学信息库
据《Nature Communications》一项研究，研究者通过轨道工程在Cu/ZIF-8中构建不对称铜位点，将类芬顿反应拓展到中性条件，羟基自由基生成量显著提升，可加速4H-SiC化学机械抛光（CMP）中的表面氧化，为功率半导体衬底的高效低损伤抛光提供新路线。传统SiC CMP材料去除速率通常低于10纳米/分钟。
