泰国发布首个国家半导体战略：2050年前累计投资800亿美元建完整芯片供应链
泰国批准首个国家半导体战略，目标2050年累计投资约800亿美元、年产值1500亿美元、新增23万就业；分三阶段推进，优先光子学、功率半导体与传感器三大平台，功率半导体瞄准电动车、储能与电网需求。
功率半导体
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Resonac开发出300mm碳化硅单晶基板，进军AI服务器散热与下一代功率半导体市场
Resonac（原昭和电工）9月15日宣布成功生长并加工出直径300mm（12英寸）碳化硅（SiC）单晶基板，为当前全球开发中的最大尺寸之一。公司目前主力供应150mm SiC外延片并已开始交付200mm产品，300mm基板面向电动车功率器件、AI服务器散热基板及AR智能眼镜镜片等场景，是SiC大尺寸化、高品质化的重要技术节点。
LG化学将亮相SEMICON Taiwan 2026，展出AI半导体先进封装与功率半导体材料全线方案
LG化学8月26日宣布将参加9月2日至4日在台北南港展览馆举行的SEMICON Taiwan 2026，设先进封装与功率封装两大展区，展出铜箔基板（CCL）、玻璃核心基板、增层膜、干膜阻焊剂、银/铜导电烧结浆料、铜金属泡沫散热方案等面向HBM与AI半导体的材料组合，并计划借展扩大与晶圆厂、OSAT及基板封装厂商的合作，加速半导体材料业务增长。这是该公司继7月向安靠大规模供应剥离液后，在半导体材料领域的又一次高调出击。
arXiv论文：增强型垂直Ga2O3功率MOSFET新进展——MOCVD再生长n+接触层免注入工艺实现980V击穿电压
8月19日提交至arXiv的论文演示了一种基于选择性MOCVD再生长Si掺杂n+层的无注入欧姆接触技术，用于增强型垂直β-Ga2O3 U槽MOSFET。器件阈值电压约5V，开关比1.15×10^6，比接触电阻率低至2.65×10^-7 Ω·cm²，关态击穿电压920-980V，多指器件电流可扩展至0.25A。