体材料铌酸锂上的单片高密度光子集成：非晶碳化硅平台打破成本-性能-扩展性三角困局
荷兰代尔夫特理工与奥地利科学院团队在arXiv发表研究，演示了非晶碳化硅(a-SiC) on 体铌酸锂衬底的全新单片光子平台，无需离子切片、晶圆键合与铌酸锂刻蚀，CMOS兼容且低成本，实现高密度低损耗集成光路与创纪录的电光调制效率（VpiL低至新纪录），为下一代信息处理与先进计算提供可扩展路线。
电光调制
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薄膜钽酸锂平台实现首个集成紫外电光调制器，较传统技术提升四个数量级
比利时根特大学团队在薄膜钽酸锂平台实现首个集成紫外电光调制器，在375nm波长下达到85 mV·cm创纪录低VπL值，消光比22.7dB，插入损耗仅1.3dB，内禀带宽潜力超67GHz。