"光子乐高"登上Nature：单晶纳米膜范德华集成解锁高性能光子异质集成
华盛顿大学圣路易斯、EPFL与MIT团队在Nature发表研究，将铁酸铋、砷化镓、钴铁氧体等单晶纳米膜从母衬底剥离后以范德华力堆叠到硅与氮化硅光子芯片上，实现0.29V·cm半波电压、约950pm/V电光系数（超铌酸锂30倍）与33800度/厘米法拉第旋转等指标。
光子集成
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体材料铌酸锂上的单片高密度光子集成：非晶碳化硅平台打破成本-性能-扩展性三角困局
荷兰代尔夫特理工与奥地利科学院团队在arXiv发表研究，演示了非晶碳化硅(a-SiC) on 体铌酸锂衬底的全新单片光子平台，无需离子切片、晶圆键合与铌酸锂刻蚀，CMOS兼容且低成本，实现高密度低损耗集成光路与创纪录的电光调制效率（VpiL低至新纪录），为下一代信息处理与先进计算提供可扩展路线。