CMOS兼容

体材料铌酸锂上的单片高密度光子集成：非晶碳化硅平台打破成本-性能-扩展性三角困局

荷兰代尔夫特理工与奥地利科学院团队在arXiv发表研究，演示了非晶碳化硅(a-SiC) on 体铌酸锂衬底的全新单片光子平台，无需离子切片、晶圆键合与铌酸锂刻蚀，CMOS兼容且低成本，实现高密度低损耗集成光路与创纪录的电光调制效率（VpiL低至新纪录），为下一代信息处理与先进计算提供可扩展路线。

B910化工 8月18日 18:55 11