拓扑绝缘体ZrTe5发现反常量子振荡:电子自旋输运或成新自由度
圣保罗大学联合Los Alamos国家实验室等在Nature Communications报道,三维拓扑绝缘体ZrTe5在温度驱动下出现反常量子振荡,强磁场电输运实验表明电子不仅输运电荷,还涉及自旋自由度。ZrTe5位于拓扑相边界附近,是研究该物理的理想平台。
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圣保罗大学联合Los Alamos国家实验室等在Nature Communications报道,三维拓扑绝缘体ZrTe5在温度驱动下出现反常量子振荡,强磁场电输运实验表明电子不仅输运电荷,还涉及自旋自由度。ZrTe5位于拓扑相边界附近,是研究该物理的理想平台。
研究团队发现磁场辅助生长可使MnBi2Te4单晶从A型反铁磁基态转变为铁磁基态,Curie温度约12.5K。晶体结构不变但磁序重构,第一性原理计算和de Haas-van Alphen振荡证实了这一发现,为调控磁性拓扑绝缘体电子性质提供新路径。