多孔材料中离子助电子跳跃：类脑计算器件新材料机制被揭示
物理学家研究电子与离子如何在多孔材料中协同迁移，发现离子运动可帮助电子在材料中跳跃传导，为模拟神经元信号传导的类脑计算器件提供了新的材料机制基础。
类脑计算
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橡树岭国家实验室：软物质生物膜展现记忆电阻与记忆电容特性，或成类脑计算新材料
8月20日AZoM报道，橡树岭国家实验室两位科学家数十年的合作研究发现细胞膜脂质双分子层在电刺激下呈现记忆电阻（memristance）与记忆电容（memcapacitance）特性，同一膜的不同区域可分别表现为记忆电阻器或记忆电容器，表明生物膜直接参与学习记忆过程的物理基础，为低功耗类脑计算开辟软材料新路线。