arXiv论文：增强型垂直Ga2O3功率MOSFET新进展——MOCVD再生长n+接触层免注入工艺实现980V击穿电压
8月19日提交至arXiv的论文演示了一种基于选择性MOCVD再生长Si掺杂n+层的无注入欧姆接触技术，用于增强型垂直β-Ga2O3 U槽MOSFET。器件阈值电压约5V，开关比1.15×10^6，比接触电阻率低至2.65×10^-7 Ω·cm²，关态击穿电压920-980V，多指器件电流可扩展至0.25A。
MOSFET
共 1 篇 · B910 化工资讯聚合
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8月19日提交至arXiv的论文演示了一种基于选择性MOCVD再生长Si掺杂n+层的无注入欧姆接触技术，用于增强型垂直β-Ga2O3 U槽MOSFET。器件阈值电压约5V，开关比1.15×10^6，比接触电阻率低至2.65×10^-7 Ω·cm²，关态击穿电压920-980V，多指器件电流可扩展至0.25A。
